图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 500 |
| 二极管型 | Silicon Carbide Schottky |
| 电压 - 直流反向（VR）（最大值） | 600V |
| 电流 - 平均整流（Io） | 4A (DC) |
| 电压 - 正向（Vf）（最大）@ | 1.9V @ 4A |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 反向恢复时间（trr） | 0ns |
| 电流 - 反向漏VR | 50µA @ 600V |
| 电容@ Vr，F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-2 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-2 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 2TO-220 |
| 类型 | Schottky Diode |
| 配置 | Single |
| 峰值反向重复电压 | 600 V |
| 峰值平均正向电流 | 4 A |
| 峰值反向电流 | 50 uA |
| 峰值正向电压 | 1.9 V |
| 峰值不重复浪涌电流 | 32 A |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 封装 | Tube |
| 电流 - Vr时反向漏电 | 50µA @ 600V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电压 - 正向（Vf） （最大） | 1.9V @ 4A |
| 电压 - （ Vr）（最大） | 600V |
| 热阻 | 3.6°C/W Jc |
| 电容@ Vr ，F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| 供应商设备封装 | PG-TO220-2 |
| 反向恢复时间（trr ） | 0ns |
| 工作温度 - 结 | -55°C ~ 175°C |
| 电流 - 平均整流（Io ） | 4A (DC) |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 二极管类型 | Silicon Carbide Schottky |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品 | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| 产品种类 | Schottky Diodes & Rectifiers |
| 最大功率耗散 | 42 W |
| 系列 | IDH04S60 |
| 最大反向漏泄电流 | 500 uA |
| 工作温度范围 | - 55 C to + 175 C |
| 正向电压下降 | 1.7 V |
| 峰值反向电压 | 600 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| 正向连续电流 | 4 A |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 零件号别名 | IDH04S60CAKSA1 SP000657976 |
| RoHS | RoHS Compliant |
| If - Forward Current | 4 A |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage | 600 V |
| Ir - Reverse Current | 500 uA |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| Vf - Forward Voltage | 1.7 V |
| 技术 | SiC |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 42 W |
| 最高工作温度 | + 175 C |
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